SK Hynix анонсировала память HBM2E с рекордной пропускной способностью

13.08.19
Компания SK Hynix сообщила о том, что разработала микросхемы памяти HBM2E, вдвое более ёмкие и в полтора раза быстрее, чем HBM2. Микросхемы этой памяти основаны на восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоях. Скорость обмена данными составляет 460 ГБ/сек (при наличии 1024-битного интерфейса).
читать полностью

Последние новости